研究者

J-GLOBAL ID：200901094817046021 更新日: 2022年09月13日

森川滝太郎

モリカワタキタロウ | Morikawa Takitarou

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (1件)：電気電子材料工学

研究キーワード (2件)：レーザ利用材料処理 , Laser-Aided Materials Processing

競争的資金等の研究課題 (2件)：

2002 - 2006 発光デバイスに関する研究
2002 - 2006 Study on Light Emitting Devices

MISC (96件)：

T Hanajiri, M Niizato, K Aoto, T Toyabe, Y Nakajima, T Morikawa, T Sugano. Scaling rules for SOI MOSFETs operating in the fully inverted mode. SOLID-STATE ELECTRONICS. 2004. 48. 10-11. 1943-1946
T Hanajiri, M Niizato, K Aoto, T Toyabe, Y Nakajima, T Morikawa, T Sugano. Scaling rules for SOI MOSFETs operating in the fully inverted mode. SOLID-STATE ELECTRONICS. 2004. 48. 10-11. 1943-1946
Y Nakajima, K Sasaki, T Hanajiri, T Toyabe, T Morikawa, T Sugano. Confirmation of electric properties of traps at silicon-on-insulator (SOI)/buried oxide (BOX) interface by three-dimensional device simulation. PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES. 2004. 24. 1-2. 92-95
T Hanajiri, K Aoto, T Hoshino, M Niizato, Y Nakajima, T Toyabe, T Morikawa, T Sugano, Y Akagi. An approach for quantum mechanical modeling and simulation for MOS devices, covering the whole operation region. COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE. 2004. 30. 3-4. 235-241
Y Nakajima, K Sasaki, T Hanajiri, T Toyabe, T Morikawa, T Sugano. Confirmation of electric properties of traps at silicon-on-insulator (SOI)/buried oxide (BOX) interface by three-dimensional device simulation. PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES. 2004. 24. 1-2. 92-95

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Works (2件)：

光エレクトロニクス材料に関する研究
1990 - 1995
Study on opto-electronic materials
1990 - 1995

学歴 (4件)：

- 1968 東京大学工学系研究科電子工学
- 1968 東京大学
- 1963 東京大学工学部電子工学
- 1963 東京大学

学位 (2件)：

工学博士 (東京大学)
工学修士 (東京大学)

経歴 (2件)：

1968 - 1986 電子技術総合研究所技官
1968 - 1986 Electro-Technical Laboratory, Research Staff

受賞 (1件)：

1972 - 電子通信学会米沢賞

所属学会 (3件)：

応用物理学会 , 電気電子技術者学会(IEEE) , 電子情報通信学会

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