研究者
J-GLOBAL ID：200901095329723924   更新日: 2024年01月30日

菱田 俊一

ヒシタ シュンイチ | Hishita Shunichi
研究分野 (2件)： 薄膜、表面界面物性 ,  電子デバイス、電子機器
研究キーワード (8件)： イオン照射 ,  イオン注入 ,  電子材料セラミックス ,  表面 ,  酸化物薄膜 ,  electronic ceramics ,  surface ,  oxide film
競争的資金等の研究課題 (6件)：
  • 2013 - 2016 イオンビーム誘起結晶成長を利用した格子ミスマッチ制御基板結晶の作製
  • 2011 - 2012 光励起キャリアの電荷分離と結晶内分極電場の相互作用に関する実証的検討
  • 2010 - 2012 透明酸化亜鉛薄膜の高周波物性評価とその高周波デバイスへの応用
  • 2007 - 2009 同位元素分布を変調した化合物半導体超格子構造の創製とその物性
  • 電子セラミックスの結晶粒界キャラクタリゼーション 半導体及び超伝導酸化物材料の調製 高エネルギーイオンと物質の相互作用
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論文 (181件)：
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MISC (47件)：
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特許 (14件)：
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所属学会 (2件)：
The Surface Science Society of Japan ,  The Ceramic Society of Japan
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