研究者
J-GLOBAL ID:200901096023947183   更新日: 2024年02月26日

奥村 元

オクムラ ハジメ | Okumura Hajime
所属機関・部署:
ホームページURL (1件): http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=H71841137
研究分野 (1件): 半導体、光物性、原子物理
競争的資金等の研究課題 (2件):
  • 2004 - 2005 シリコンカーバイドエピタキシャル結晶成長のモデリングとエピタキシャル膜特性向上
  • ワイドギャップ半導体の結晶成長評価とデバイス応用
論文 (2件):
  • Akihiro Koyama, Mitsuru Sometani, Kensuke Takenaka, Koji Nakayama, Akira Miyasaka, Kazutoshi Kojima, Kazuma Eto, Tomohisa Kato, Junji Senzaki, Yoshiyuki Yonezawa, et al. Low V F 4H-SiC N-i-P diodes using newly developed low-resistivity p-type substrates. Japanese Journal of Applied Physics. 2020. 59. SG. SGGD14-SGGD14
  • Susumu Tsukimoto, Tatsuhiko Ise, Genta Maruyama, Satoshi Hashimoto, Tsuguo Sakurada, Junji Senzaki, Tomohisa Kato, Kazutoshi Kojima, Hajime Okumura. Correlation between local strain distribution and microstructure of grinding-induced damage layers in 4H-SiC(000 ̄1). Materials Science Forum. 2017. 897. 177-180
MISC (71件):
学位 (1件):
  • 工学博士 (大阪大学)
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