研究者
J-GLOBAL ID:200901096023947183
更新日: 2024年02月26日
奥村 元
オクムラ ハジメ | Okumura Hajime
この研究者にコンタクトする
直接研究者へメールで問い合わせることができます。
所属機関・部署:
独立行政法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター
独立行政法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター について
「独立行政法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター」ですべてを検索
ホームページURL (1件):
http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=H71841137
研究分野 (1件):
半導体、光物性、原子物理
競争的資金等の研究課題 (2件):
2004 - 2005 シリコンカーバイドエピタキシャル結晶成長のモデリングとエピタキシャル膜特性向上
ワイドギャップ半導体の結晶成長評価とデバイス応用
論文 (2件):
Akihiro Koyama, Mitsuru Sometani, Kensuke Takenaka, Koji Nakayama, Akira Miyasaka, Kazutoshi Kojima, Kazuma Eto, Tomohisa Kato, Junji Senzaki, Yoshiyuki Yonezawa, et al. Low
V
F
4H-SiC N-i-P diodes using newly developed low-resistivity p-type substrates. Japanese Journal of Applied Physics. 2020. 59. SG. SGGD14-SGGD14
Susumu Tsukimoto, Tatsuhiko Ise, Genta Maruyama, Satoshi Hashimoto, Tsuguo Sakurada, Junji Senzaki, Tomohisa Kato, Kazutoshi Kojima, Hajime Okumura. Correlation between local strain distribution and microstructure of grinding-induced damage layers in 4H-SiC(000 ̄1). Materials Science Forum. 2017. 897. 177-180
MISC (71件):
Kazutoshi Kojima, Satoshi Kuroda, Hajime Okumura, Kazuo Arai. Homoepitaxial growth on a 4H-SiC C-face substrate. CHEMICAL VAPOR DEPOSITION. 2006. 12. 8-9. 489-494
Investigation of in-grown dislocations in 4H-SiC epitaxial layer. MATERIALS SCIENCE FORUM. 2006. 527-529. 147-152
S Nakashima, T Kato, S Nishizawa, T Mitani, H Okumura, T Yamamoto. Deep ultraviolet raman microspectroscopic characterization of polishing-induced surface damage in SiC crystals. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY. 2006. 153. 4. G319-G323
T Kitamura, XQ Shen, M Sugiyama, H Nakanishi, M Shimizu, H Okumura. Generation of cubic phase in molecular-beam-epitaxy-grown hexagonal InGaN epilayers on InN. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS. 2006. 45. 1A. 57-60
K Kojima, S Kuroda, H Okumura, K Arai. Nitrogen incorporation characteristics on a 4H-SiC epitaxial layer. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2006. 88. 2. 021907-1-021907-3
もっと見る
学位 (1件):
工学博士 (大阪大学)
※ J-GLOBALの研究者情報は、
researchmap
の登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、
こちら
をご覧ください。
前のページに戻る
TOP
BOTTOM