研究者

J-GLOBAL ID：200901096799219633 更新日: 2022年09月29日

真下正夫

マシタマサオ | Mashita Masao

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (3件)：薄膜、表面界面物性 , 結晶工学 , 応用物性

研究キーワード (2件)：半導体 , 薄膜

競争的資金等の研究課題 (5件)：

薄膜技術に関する研究
薄膜成長に関する研究
半導体薄膜物性に関する研究
Study on Growth of Thin Films
Study on Physics of Semiconductor Thin Films

MISC (64件)：

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特許 (32件)：

蒸着装置
蒸着装置
蒸着装置
蒸着装置
蒸発源

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書籍 (25件)：

薄膜工学ハンドブック
講談社 1998
"二次イオン質量スペクトロメトリ"
イオンビーム利用の基礎と現状(丸善) 1996
"薄膜"、"界面"等7項目
図解膜形成技術用語辞典(工業調査会) 1996
"CVDのメカニズムを探る"
第1回結晶工学セミナーテキスト(応用物理学会) 1995
"表面分析図鑑"
表面分析図鑑(共立出版) 1994

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Works (2件)：

光学薄膜および硬質保護膜に関する研究
2001 -
平成7年度関東地方発明表彰神奈川県知事賞
1995 -

学歴 (4件)：

- 1969 早稲田大学理工学研究科金属材料工学
- 1969 早稲田大学
- 1967 早稲田大学理工学部金属工学
- 1967 早稲田大学

学位 (2件)：

工学修士
工学博士

経歴 (3件)：

1969 - 1997 (株)東芝
1997 - - 弘前大学理工学部教授
1985 - 1987 光技術共同研究所

委員歴 (3件)：

1993 - 日本表面科学会理事
1991 - 電気学会電子材料技術委員会1号委員
1978 - 1982 応用物理学会編集委員

受賞 (1件)：

1984 - 大河内記念技術賞

所属学会 (4件)：

日本金属学会 , 電気学会 , 日本表面科学会 , 応用物理学会

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