研究者
J-GLOBAL ID:200901097058321585   更新日: 2022年09月14日

中田 穣治

Jyoji Nakata
所属機関・部署:
職名: 教授
ホームページURL (1件): https://www.sci.kanagawa-u.ac.jp/math-phys/jyojin/
研究分野 (2件): 量子ビーム科学 ,  ナノ構造物理
研究キーワード (6件): Carbon nano materials ,  Silicon Semiconductors ,  Diamond semiconductors ,  ナノカーボン材料 ,  シリコン半導体 ,  ダイヤモンド半導体
競争的資金等の研究課題 (1件):
  • 2008 - 2009 電子ビーム露光装置を利用したカイラリティー制御カーボンナノチューブ形成法の研究
論文 (167件):
  • Yuhei Seki, Yasushi Hoshino, yoji Nakata. The remarkable p-type carrier transport induced by 1000C B and C ion implantation into the IIa diamond substrates followed by 1150C annealing. Abstracts of 29-th International Conference of Diamond and Carbon Materials. 2018
  • 中田穣治, 新井健, 佐藤秀人, 関裕平, 内藤隆平, 星野靖. n-型ダイヤモンド半導体へのオーミック電極構造形成法の研究(1). 神奈川大学 理学誌. 2018. 29. 19-32
  • G. Yachida, Y. Hoshino, K. Inoue, J. Nakata. The epitaxial growth of deposited amorphous Si layer on hydrogen-terminated surfaces using ion beam mixing. Abstracts of International Conference on IBMM 2018. 2018
  • G. Yachida, K. Inoue, Y. Hoshino, J. Nakata. The RBS analysis for a thin amorphous Si layer formed on clean and H-terminated Si(001) surfaces followed by medium-energy IBIEC treatments. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B. 2018
  • Ryuhei Naito, Yuhei Seki, Yasushi Hoshino, Yasunao Saito, Jyoji Nakata. SIMPLIFICATION OF OHMIC ELECTRODE STRUCTURE ON n-TYPE DIAMOND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE BY Ar ION IMPLANTATION. Proceedings of the 36-th symposium on ion beam technology Hosei University, December13,2017. 2018. 75-78
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特許 (38件):
  • カーボンナノチューブ製造用基材の製造方法、カーボンナノチューブの製造方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
  • カーボンナノチューブ製造用基材の製造方法、カーボンナノチューブの製造方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
  • アニ-ル法
  • 堆積非晶質Si層のエピタキシャル単結晶化法
  • '非晶質Si層の低温単結晶化法
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書籍 (1件):
  • 半導体用語辞典
    日刊工業新聞社 1999
講演・口頭発表等 (57件):
  • Bイオンを用いたMeV級古典RBS法によるナノメートルオーダ界面揺らぎの定量解析
    (日本物理学会2017年秋季大会 2017)
  • 清浄および水素終端化Si(001)表面上に形成した極薄非晶質Si層の 中エネルギーIBIECによる再結晶化レートと界面水素量依存性
    (第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017)
  • 真空一貫プロセスによる CNT 成長 用 Co ナノ粒子形成法の研究
    (応用物理学会 2015)
  • Arイオン照射によるダイヤモンド半導体用オーミック電極の形成
    (応用物理学会 2015)
  • Si基板中への高温酸素イオン注入により形成したSOI構造の評価
    (応用物理学会 2014)
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学歴 (2件):
  • 1974 - 1976 東京大学大学院 理学系研究科 物理学専門課程
  • 1970 - 1974 東京大学 理学部 物理学科
学位 (3件):
  • 理学博士 (東京大学)
  • 理学修士 (東京大学大学院)
  • 理学学士 (東京大学)
経歴 (12件):
  • 2003/04 - 2015/03 神奈川大学 理学研究科 (兼担)教授 情報科学専攻 専攻主任
  • 2012/04 - 2014/03 神奈川大学 理学部 数理・物理学科 学科主任
  • 2001/04 - 2002/03 独立行政法人産業技術総合研究所 客員研究員
  • 1999/06 - 2001/03 通産省電子技術総合研究所 客員研究員
  • 1996/07 - 1999/03 日本電信電話株式会社 基礎研究所先端デバイス研究部
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委員歴 (7件):
  • 2015/04/01 - 現在 萬谷記念かながわ奨学基金 選考委員 選考委員
  • 1999/04 - 現在 学協会「ニューダイヤモンドフォーラム」 会員
  • 2004/04 - 2006/03 応用物理学会 代議員
  • 1998/07 - 1999/06 法令検討委員会 委員
  • 1996/06 - 1998/06 法令検討委員会 委員長
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受賞 (2件):
  • 1989/10 - 研究開発本部長 報道特別賞 [同上]
  • 1989/10 - NTT社長表彰 [産業用超電導小型電子蓄積リング(小型SOR)開発]
所属学会 (7件):
日本物理学会 ,  応用物理学会 ,  日本アイソトープ協会 ,  米国物理学会 ,  ニューダイヤモンドフォーラム ,  放射線安全管理学会 ,  日本加速器学会
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