文献
J-GLOBAL ID：200902067592937351   整理番号：90A0200885

特集・次世代の絶縁膜形成技術 TEOS系CVD技術による絶縁膜形成と平坦化

Special article : Insulation film deposition technology toward next genretion. Insulation film deposition and flatness with TEOS based CVD technology.
  • 出版者サイト 複写サービスで全文入手
  • 高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=90A0200885&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0509A") }}
著者 (4件)：
小谷秀夫

小谷秀夫 について

(三菱電機 LSI研)

三菱電機 LSI研 について

, 
松浦正純

松浦正純 について

(三菱電機 LSI研)

三菱電機 LSI研 について

, 
藤井淳弘

藤井淳弘 について

(三菱電機 LSI研)

三菱電機 LSI研 について

, 
長尾繁雄

長尾繁雄 について

(三菱電機 LSI研)

三菱電機 LSI研 について


資料名：
月刊Semiconductor World  (月刊セミコンダクターワールド)

月刊Semiconductor World について


巻： 8  号： 12  ページ： 81-83  発行年： 1989年11月 
JST資料番号： Y0509A  ISSN： 0286-5025  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
400°Cで膜形成可能なTEOS-O3...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
シラン

シラン について

,...
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
TEOS

TEOS について


   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=90A0200885&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0509A") }}
分類 (1件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体集積回路 
(NC03162T)

半導体集積回路 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
次世代

次世代 について

, 
絶縁膜

絶縁膜 について

, 
TEOS

TEOS について

, 
CVD

CVD について

, 
平坦化

平坦化 について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM