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J-GLOBAL ID：200902070538285560   整理番号：89A0477152

シリコン上の無電解めっき膜中のけい化ニッケル形成 Ni₃Si₂の低温成長,形態と電気抵抗

Nickel silicide formation in electroless plated films on silicon: Low temperature growth of Ni₃Si₂, morphology and electrical resistance.

著者 (3件)： NAYAK B B (Regional Research Lab., Bhubaneswar, IND) ,  SINGH S K (Regional Research Lab., Bhubaneswar, IND) ,  ACHARYA B S (Regional Research Lab., Bhubaneswar, IND)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 171  号： 2  ページ： 277-290  発行年： 1989年04月15日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ニッケル膜をSi〈100〉上に無電解化学めっき法により成長さ...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体-金属接触【’81~’92】  (BM03073E)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン ,  電解 ,  めっき膜 ,  けい化ニッケル ,  低温成長 ,  形態 ,  電気抵抗