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文献J-GLOBAL ID:200902076512781150整理番号:91A0506807

Dopant Selective Photoelectrochemical Etching of GaAs Homostructures.

GaAsホモ構造のドーパント選択光電気化学的エッチング

著者:KHARE R(Univ. California, California)、HU E L(Univ. California, California)
資料名:J Electrochem Soc 巻:138 号:5 ページ:1516-1519
発行年:1991年05月
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