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J-GLOBAL ID：200902076514372045   整理番号：82A0426341

エピタキシャル層構造と階段l-h接合の界面における電荷キャリア濃度(厳密な式と近似式の表示と比較)

Electric charge carrier concentration at the interface of epitaxial layer structures and abrupt l-h junctions (presentation and comparison of exact and approximate formulae).
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著者 (1件)：
KUZ ́NICKI Z T

KUZ ́NICKI Z T について

(Section IV of Technical Sciences, Polish Academy of Sciences)

Section IV of Technical Sciences, Polish Academy of Sciences について


資料名：
Bulletin de l’Academie Polonaise des Sciences. Serie des Sciences Techniques  (Bulletin de l'Academie Polonaise des Sciences. Serie des Sciences Techniques)

Bulletin de l’Academie Polonaise des Sciences. Serie des Sciences Techniques について


巻： 29  号： 11/12  ページ： 111-118  発行年： 1981年 
JST資料番号： B0114A  ISSN： 0001-4125  CODEN： BAPTA9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ポーランド (POL)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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タイプが同じでドーピングの程度の異なる二つの領域の界面での議...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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エピタクシー

エピタクシー について

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l-h接合

l-h接合 について


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分類 (1件)：
分類
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半導体-半導体接触【’81~’92】 
(BM03072N)

半導体-半導体接触【’81~’92】 について

タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
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エピタキシャル層

エピタキシャル層 について

, 
階段

階段 について

, 
界面

界面 について

, 
電荷

電荷 について

, 
キャリア濃度

キャリア濃度 について

, 
近似式

近似式 について


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