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文献J-GLOBAL ID:200902076514372045整理番号:82A0426341

Electric charge carrier concentration at the interface of epitaxial layer structures and abrupt l-h junctions (presentation and comparison of exact and approximate formulae).

エピタキシャル層構造と階段l‐h接合の界面における電荷キャリア濃度(厳密な式と近似式の表示と比較)

著者:KU<span style=text-decoration:overline>Z ́</span>NICKI Z T(Section IV of Technical Sciences, Polish Academy of Sciences)
資料名:Bull Acad Pol Sci Ser Sci Tech 巻:29 号:11/12 ページ:111-118
発行年:1981年
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