文献
J-GLOBAL ID：200902076519338740   整理番号：87A0359750

SiGe合金の液相エピタクシー

Liquid phase epitaxy of SiGe alloys.
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著者 (4件)：
ALONSO M I

ALONSO M I について

(Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)

Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU について

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BAUSER E

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(Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)

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SUEMOTO T

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(Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)

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GARRIGA M

GARRIGA M について

(Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)

Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU について


資料名：
18th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1986, Vol.1  (18th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1986, Vol.1)

18th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1986, Vol.1 について


ページ： 771-774  発行年： 1986年 
JST資料番号： K19870207  ISBN： 9971-50-197-X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： シンガポール (SGP)  言語： 英語 (EN)
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SiGe合金の液相エピタクシーの成長条件について述べ,成長過...
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ケイ化物

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分類 (1件)：
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半導体の結晶成長 
(BK13040X)

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SiGe合金

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