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J-GLOBAL ID：200902076573337288   整理番号：92A0272841

Two-dimensional simulation of the local oxidation of silicon including stress effects.

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著者 (3件)：
SCHOTT K

SCHOTT K について

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SEIDL A

SEIDL A について

(Fraunhofer-Inst. Festkoerpertechnologie, Muenchen, DEU)

Fraunhofer-Inst. Festkoerpertechnologie, Muenchen, DEU について

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LORENZ J

LORENZ J について

(Fraunhofer-Arbeitsgruppe fuer Integrierte Schaltungen, Erlangen, DEU)

Fraunhofer-Arbeitsgruppe fuer Integrierte Schaltungen, Erlangen, DEU について


資料名：
Semiconductor Silicon 1990  (Semiconductor Silicon 1990)

Semiconductor Silicon 1990 について


ページ： 417-424  発行年： 1990年 
JST資料番号： K19920040  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

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