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J-GLOBAL ID：200902076589131442   整理番号：91A0554129

大気中力顕微鏡によるSi(111)表面上単原子段差の観察

Monoatomic step observation on Si(111)surfaces by force microscopy in air.

著者 (4件)： SUZUKI M (NTT Applied Electronics Lab., Tokyo, JPN) ,  KUDOH Y (NTT Applied Electronics Lab., Tokyo, JPN) ,  HOMMA Y (NTT Applied Electronics Lab., Tokyo, JPN) ,  KANEKO R (NTT Applied Electronics Lab., Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 58  号： 20  ページ： 2225-2227  発行年： 1991年05月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単原子段差のSi(111)の近傍の構造が,大気中力顕微鏡で分...

シソーラス用語： 階段形 ,...
準シソーラス用語： 反射電子顕微鏡 ,...

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分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 大気中 ,  力顕微鏡 ,  Si ,  単原子 ,  段差 ,  観察