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文献J-GLOBAL ID:200902076592826095整理番号:86A0253729

Отрицательная дифференциальная проводимость гетероструктур с селективным легированием на основе In0.53Ga0.47As ‐ InP.

In0.53Ga0.47As‐InPに基づく選択ドープヘテロ構造の微分負性電気伝導率

著者:ГАРМАТИН А В、КАЛЬФА А А
資料名:Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov 巻:19 号:12 ページ:2228-2231
発行年:1985年12月
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