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J-GLOBAL ID：200902076592826095   整理番号：86A0253729

In0.53Ga0.47As-InPに基づく選択ドープヘテロ構造の微分負性電気伝導率

Отрицательная дифференциальная проводимость гетероструктур с селективным легированием на основе In0.53Ga0.47As - InP.
著者 (2件)：
ГАРМАТИН А В

ГАРМАТИН А В について

, 
КАЛЬФА А А

КАЛЬФА А А について


資料名：
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)

Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov について


巻： 19  号： 12  ページ： 2228-2231  発行年： 1985年12月 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ロシア (RUS)  言語： ロシア語 (RU)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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異なったバンドギャップ幅と移動度を持つ2種類の半導体から成る...
シソーラス用語：
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化合物半導体

化合物半導体 について

,...
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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選択ドーピング

選択ドーピング について


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分類 (1件)：
分類
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半導体-半導体接触【’81~’92】 
(BM03072N)

半導体-半導体接触【’81~’92】 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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InP

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ドープ

ドープ について

, 
ヘテロ構造

ヘテロ構造 について

, 
微分

微分 について

, 
電気伝導率

電気伝導率 について


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