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J-GLOBAL ID：200902076608227472   整理番号：93A0758050

MOCVD-TiN barrier layers for ULSI applications.

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著者 (7件)：
RAAIJMAKERS I J

RAAIJMAKERS I J について

(Novellus Systems, Inc., CA)

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, 
VRTIS R N

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(Schumacher, CA)

Schumacher, CA について

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YANG J

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(Novellus Systems, Inc., CA)

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RAMASWAMI S

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(Advanced Micro Devices, CA)

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LAGENDIJK A

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(Schumacher, CA)

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ROBERTS D A

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(Schumacher, CA)

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BROADBENT E K

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(Novellus Systems, Inc., CA)

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資料名：
Advanced Metallization and Processing for Semiconductor Devices and Circuits - 2  (Advanced Metallization and Processing for Semiconductor Devices and Circuits - 2)

Advanced Metallization and Processing for Semiconductor Devices and Circuits - 2 について


ページ： 99-105  発行年： 1992年 
JST資料番号： K19930425  ISBN： 1-55899-155-7  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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