液相エピタクシー成長(111)A InP/In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As/InP二重ヘテロ構造ウエハの不整合転位

YAMAZAKI S; NAKAJIMA K; KOMIYA S; KISHI Y; AKITA K

文献

J-GLOBAL ID：200902076608919161 整理番号：84A0463276

液相エピタクシー成長(111)A InP/In_0.53Ga_0.47As/InP二重ヘテロ構造ウエハの不整合転位

Misfit dislocations in(111)A InP/In_0.53Ga_0.47As/InP double heterostructure wafers grown by liquid phase epitaxy.

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資料名：
巻： 55 号： 10 ページ： 3478-3484 発行年： 1984年05月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

この転位はウエハ端に発生し,上方InP層のヘテロ界面の近傍に...

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半導体の格子欠陥

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液相エピタクシー成長(111)A InP/In0.53Ga0.47As/InP二重ヘテロ構造ウエハの不整合転位

液相エピタクシー成長(111)A InP/In_0.53Ga_0.47As/InP二重ヘテロ構造ウエハの不整合転位