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文献J-GLOBAL ID:200902076608919161整理番号:84A0463276

Misfit dislocations in(111)A InP/In0.53Ga0.47As/InP double heterostructure wafers grown by liquid phase epitaxy.

液相エピタクシー成長(111)A InP/In0.53Ga0.47As/InP二重ヘテロ構造ウエハの不整合転位

著者:YAMAZAKI S(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi)、NAKAJIMA K(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi)、KOMIYA S(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi)・・・
資料名:Journal of Applied Physics 巻:55 号:10 ページ:3478-3484
発行年:1984年05月15日
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