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J-GLOBAL ID：200902076657427800   整理番号：89A0523330

GaAs/AlGaAsヘテロ接合の二次元電子ガスの特性に及ぼすバリヤ混入不純物の影響

The influence of barrier unintentional impurities on characteristics of two dimensional electron gas at GaAs/AlGaAs heterojunction.

著者 (6件)： KOP’EV P S (A.F. Loffe Physical-Technical Inst., USSR Academy of Sciences, Leningrad, SUN) ,  IVANOV S V (A.F. Loffe Physical-Technical Inst., USSR Academy of Sciences, Leningrad, SUN) ,  LEDENTSOV N N (A.F. Loffe Physical-Technical Inst., USSR Academy of Sciences, Leningrad, SUN) ,  MELTSER B YA (A.F. Loffe Physical-Technical Inst., USSR Academy of Sciences, Leningrad, SUN) ,  NADTOCHI M YU (A.F. Loffe Physical-Technical Inst., USSR Academy of Sciences, Leningrad, SUN) ,  USTINOV V M (A.F. Loffe Physical-Technical Inst., USSR Academy of Sciences, Leningrad, SUN)
資料名： Crystal Properties and Preparation  (Crystal Properties and Preparation)
巻： 19/20  ページ： 63-66  発行年： 1989年 
JST資料番号： D0745B  ISSN： 0252-1067  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： As源などを変えた3系列の分子ビームエピタクシー法により,A...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs ,  AlGaAs ,  ヘテロ接合 ,  二次元電子ガス ,  バリヤ ,  混入 ,  不純物