イオン注入装置 新世代パラレルイオン注入装置“EXCEED 2000”

長井宜夫; 西川和宏; 中矢良; 斎藤義則; 細野真裕; 内藤勝男; 河合禎; 奥田昌平; 丹上正安

文献

J-GLOBAL ID：200902104436232421 整理番号：95A0049756

イオン注入装置新世代パラレルイオン注入装置“EXCEED 2000”

Ion Implantation System. New Generation Parallel Beam Implanter EXCEED 2000.

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資料名：
巻： 39 号： 3 ページ： 9-18 発行年： 1994年11月
JST資料番号： S0817B ISSN： 0549-5377 CODEN： NIDGA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：解説発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

8in対応,パラレルビーム注入で完全なエネルギーコンタミネー...

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固体デバイス製造技術一般

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