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J-GLOBAL ID：200902107055750441   整理番号：99A0655113

2個のゲート領域を持つ選択リセスエッチしたFET(SRFET)を用いた短チャネル効果の改善

Improvements of Short-Channel Effects using Selectively Recess-etched FET(SRFET) with Two Gate Regions.

著者 (4件)： BURM J (Sogang Univ., Seoul) ,  CHOI J H (Sogang Univ., Seoul) ,  KIM D-H (Seoul National Univ., Seoul) ,  WOO J-C (Seoul National Univ., Seoul)
資料名： Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)
巻： 34  号： Supplementary  ページ： S85-S87  発行年： 1999年04月 
JST資料番号： T0357A  ISSN： 0374-4884  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 韓国 (KOR)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲート ,  エッチ ,  FET ,  短チャネル効果