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J-GLOBAL ID：200902108488684245   整理番号：02A0466160

高温Si(111)基板へのArイオン照射過程のリアルタイムSTM観察 (II)

著者 (5件)： 冨木健一 (早稲田大 理工) ,  内ケ崎誠 (早稲田大 理工) ,  神岡武文 (早稲田大 理工) ,  渡辺孝信 (早稲田大 理工) ,  大泊巌 (早稲田大 各務記念材料技研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 49th  号： 2  ページ： 642  発行年： 2002年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  Arイオン ,  過程 ,  リアルタイム ,  STM ,  観察