MOCVD法による低温成長アンドープAl<sub>0.48</sub>In<sub>0.52</sub>As高抵抗層

文献

J-GLOBAL ID：200902114015365150 整理番号：94A0451268

MOCVD法による低温成長アンドープAl_0.48In_0.52As高抵抗層

High resistivity undoped Al0.48In0.52As layers grown by low temperature MOCVD.

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資料名：
巻： 41st 号： Pt 1 ページ： 320 発行年： 1994年03月
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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