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J-GLOBAL ID：200902123099394796   整理番号：94A0223190

InP/InGaAs HBTへの保護膜形成に伴う表面再結合電流

Surface recombination current in InP/InGaAs HBT arisen from passivation film formation.
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著者 (3件)：
深野秀樹

深野秀樹 について

(NTT 光エレクトロニクス研)

NTT 光エレクトロニクス研 について

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高梨良文

高梨良文 について

(NTT 光エレクトロニクス研)

NTT 光エレクトロニクス研 について

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藤本正友

藤本正友 について

(NTT 光エレクトロニクス研)

NTT 光エレクトロニクス研 について


資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)

応用物理学会学術講演会講演予稿集 について


巻： 54th  号： 3  ページ： 1204  発行年： 1993年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
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タイトルに関連する用語
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InP

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InGaAs

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HBT

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膜形成

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表面再結合

表面再結合 について


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