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J-GLOBAL ID：200902141787736119   整理番号：94A0179695

WF₆/Si_nH_2n+2によるCVD-WSix膜合成における膜組成決定機構

The gas phase chemistry determining silicon contents of CVD-WSix films from WF₆/Si_nH_2n+2.

著者 (9件)： 斉藤丈靖 (東大 工) ,  大島啓示 (東大 工) ,  会田弘文 (東大 工) ,  江頭靖幸 (東大 工) ,  小宮山宏 (東大 工) ,  菅原活郎 (日本大 工) ,  高広克巳 (東北大 金材研) ,  永田晋二 (東北大 金材研) ,  山口貞衛 (東北大 金材研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 54th  号： 2  ページ： 656  発行年： 1993年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (2件)： CVD ,  膜組成