文献

J-GLOBAL ID：200902158994192447   整理番号：95A0850795

I-III-VI₂族化合物半導体CuAlS₂の化学気相輸送法による単結晶作製とその評価

Single crystal manufacture by the chemical vapor phase transport method of I-III-VI2 group compound semiconductor CuAlS2 and its evaluation.

著者 (5件)： 菅原崇 (石巻専修大 理工) ,  渡部幹雄 (石巻専修大 理工) ,  望月勝美 (石巻専修大 理工) ,  木元一彦 (石巻専修大 理工) ,  増本剛 (石巻専修大 理工)
資料名： 応用物理学会東北支部学術講演会講演予稿集  (応用物理学会東北支部学術講演会論文集)
巻： 49th  ページ： 177-178  発行年： 1994年12月 
JST資料番号： L1473A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： 化合物半導体 ,  化学 ,  気相輸送法 ,  単結晶作製 ,  評価