文献
J-GLOBAL ID：200902162843944975   整理番号：99A1033247

高濃度AlGaAs組成傾斜層を有する低エミック抵抗InGaP/InGaAs HBT

  • 出版者サイト 複写サービスで全文入手
  • 高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A1033247&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0055A") }}
著者 (3件)：
丹羽隆樹

丹羽隆樹 について

(NEC)

NEC について

, 
天宮泰

天宮泰 について

(NEC)

NEC について

, 
嶋脇秀徳

嶋脇秀徳 について

(NEC)

NEC について


資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)

応用物理学会学術講演会講演予稿集 について


巻： 60th  号： 3  ページ： 1141  発行年： 1999年09月01日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
タイトルに関連する用語 (7件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
高濃度

高濃度 について

, 
AlGaAs

AlGaAs について

, 
組成

組成 について

, 
傾斜層

傾斜層 について

, 
InGaP

InGaP について

, 
InGaAs

InGaAs について

, 
HBT

HBT について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM