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J-GLOBAL ID：200902172332368327   整理番号：98A0027493

200°Cプロセスで作製したエキシマ・レーザ結晶化poly-Si TFT

Excimer-laser crystallized poly-Si TFT’s fabricated at 200.DEG.C..

著者 (5件)： 田中淳 (シャープ 機能デバイス研) ,  中谷喜紀 (シャープ 機能デバイス研) ,  青森繁 (シャープ 機能デバイス研) ,  丸山智子 (シャープ 機能デバイス研) ,  松浦昌孝 (シャープ 機能デバイス研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 58th  号： 2  ページ： 792  発行年： 1997年10月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： プロセス ,  作製 ,  エキシマ ,  レーザ結晶 ,  Si ,  TFT