文献

J-GLOBAL ID：200902173049925364   整理番号：99A0178716

EMCZ(電流磁場印加引上)法により育成したSi単結晶中の酸素濃度

The oxygen concentration in the Si crystals grown by using the electromagnetic Czochralski(EMCZ) method.

著者 (3件)： 渡辺匡人 (NEC) ,  江口実 (NEC) ,  日比谷孟俊 (NEC)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 59th  号： 1  ページ： 210  発行年： 1998年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： 磁場 ,  印加 ,  引上 ,  法 ,  Si単結晶 ,  酸素濃度