文献
J-GLOBAL ID：200902174224005490   整理番号：95A0886280

Study of Microstructural Features and Electrophysical Properties of γ-Irradiated TiN-GaAs Junctions.

著者 (6件)：
HOTOVY J

HOTOVY J について

(Technological Univ., Bratislava, CSK)

Technological Univ., Bratislava, CSK について

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ISMAILOV K A

ISMAILOV K A について

(Inst. Semiconductor Physics, Acad. Sci. Ukraine, Kiev, SUN)

Inst. Semiconductor Physics, Acad. Sci. Ukraine, Kiev, SUN について

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KONAKOVA R V

KONAKOVA R V について

(Inst. Semiconductor Physics, Acad. Sci. Ukraine, Kiev, SUN)

Inst. Semiconductor Physics, Acad. Sci. Ukraine, Kiev, SUN について

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MILENIN V V

MILENIN V V について

(Inst. Semiconductor Physics, Acad. Sci. Ukraine, Kiev, SUN)

Inst. Semiconductor Physics, Acad. Sci. Ukraine, Kiev, SUN について

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PROKOPENKO I V

PROKOPENKO I V について

(Inst. Semiconductor Physics, Acad. Sci. Ukraine, Kiev, SUN)

Inst. Semiconductor Physics, Acad. Sci. Ukraine, Kiev, SUN について

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TKHORIK YU A

TKHORIK YU A について

(Inst. Semiconductor Physics, Acad. Sci. Ukraine, Kiev, SUN)

Inst. Semiconductor Physics, Acad. Sci. Ukraine, Kiev, SUN について


資料名：
Physics, Chemistry and Mechanics of Surfaces  (Physics, Chemistry and Mechanics of Surfaces)

Physics, Chemistry and Mechanics of Surfaces について


巻： 10  号： 8/9  ページ： 1096-1103  発行年： 1995年05月 
JST資料番号： D0591C  ISSN： 0734-1520  CODEN： PCMSER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
タイトルに関連する用語 (2件)：
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TiN

TiN について

, 
GaAs

GaAs について


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