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J-GLOBAL ID：200902174244683428   整理番号：99A0507425

転位密度の極端に低い(EPD≪1000CM^-2)GaAsのVGF成長における残留転位のタイプの解析

Analysis of types of residual dislocations in the VGF growth of GaAs with extremely low dislocation density (EPD≪1000CM^-2).

著者 (4件)： AMON J (Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU) ,  HAERTWIG J (European Synchrotron Radiation Facility(ESRF), Grenoble, FRA) ,  LUDWIG W (European Synchrotron Radiation Facility(ESRF), Grenoble, FRA) ,  MUELLER G (Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 198/199  号： Pt.1  ページ： 367-373  発行年： 1999年03月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (9件)： 転位密度 ,  EPD ,  GaAs ,  VGF ,  成長 ,  残留 ,  転位 ,  タイプ ,  解析