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J-GLOBAL ID：200902193753340844   整理番号：94A0196001

加熱気化/誘導結合プラズマ質量分析法によるシリコンウェハー中の超微量クロム,鉄,ニッケル及び銅の深さ方向分布の測定

Depth profiling of ultratrace chromium, iron, nickel, and copper in silicon wafers by electrothermal vaporization/ICP-MS.

著者 (5件)： 竹中みゆき (東芝 研開セ) ,  富田充裕 (東芝 研開セ) ,  窪田敦子 (東芝) ,  土屋憲彦 (東芝) ,  松永秀樹 (東芝 研開セ)
資料名： 分析化学
巻： 43  号： 2  ページ： 173-176  発行年： 1994年02月 
JST資料番号： F0008A  ISSN： 0525-1931  CODEN： BNSKAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 標題の測定において試料を硝酸とふっ化水素酸の混酸で漸次溶解さ...

シソーラス用語： ICP-MS分析 ,...

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分類 (2件)： 無機物質中の元素の物理分析  (CC03022H) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (9件)：

• 小島寿夫. 第25回応用スペクトロメトリー東京討論会講演要旨集. 1990, 191
• 谷口一雄. ぶんせき. 1992, 71
• 本間芳和. ぶんせき. 1991, 684
• 斎藤努. ぶんせき. 1991, 629
• 松下嘉明. 日経マイクロデバイス. 1990, 10, 99

タイトルに関連する用語 (9件)： 気化 ,  誘導結合プラズマ質量分析法 ,  シリコンウェハー ,  クロム ,  鉄 ,  ニッケル ,  銅 ,  深さ方向 ,  分布