J-GLOBAL - シリコンウェハー上薄膜の線膨張係数測定【文献】

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シリコンウェハー上薄膜の線膨張係数測定

平野孝行 (東レリサーチセ)、坂本厚 (東レリサーチセ)、石切山一彦 (東レリサーチセ)



【全文情報】
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更新日

2010年09月13日

J-GLOBAL ID

200902201109016915

整理番号

05A0132680

タイトル(和文)

シリコンウェハー上薄膜の線膨張係数測定

タイトル(英文)

タイトル(原文)

著者（所属機関） (3件)

平野孝行
所属:東レリサーチセ

坂本厚
所属:東レリサーチセ

石切山一彦
所属:東レリサーチセ

発表資料 (1件)

熱測定討論会講演要旨集

JST資料番号 (1件)

F0840B

発行年

20041001

巻、号、頁、特殊号

巻:４０ｔｈ頁:186-187

ISSN

ISBN

CODEN

資料種別:資料内容種別名

Proceedings

資料種別:資料形態コード

発行国

Japan

言語

Japanese

分類コード (1件)

非金属のその他の熱的性質 (BL05040J

)

キーワード (3件)

シリコンウェハー

（Si wafer、silicon substrate、silicon wafer、けい素ウエハ、けい素ウエハー、けい素基板、ケイ素ウェーハ、ケイ素ウエハ、ケイ素ウエハー、ケイ素基体、ケイ素基板、シリコンウェ−ハ、シリコンウェハ、シリコンウェハー、シリコンウェーハ、シリコンウエハ、シリコンウエハー、シリコンウエハ基板、シリコン・ウエハ、シリコン基板、シリコーンウエハ、シリコーン基板、珪素ウェーハ、珪素ウエハ、珪素基板、Ｓｉウェーハ、Ｓｉウエハ、Ｓｉウエハー、Ｓｉ基板）

シリコンウェハーまたはシリコンウェーハ () は、高純度な珪素（シリコン）のウェハーである。 (出典：Wikipedia)

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