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J-GLOBAL ID：200902204193869609   整理番号：07A0762975

[100]及び[110]基板上の埋め込みSiGe膜による歪みSiチャンネルを有するMetal/High-kゲート電極MOSFETs

High-Performance CMOS Device Technologies Featuring Metal/High-k Gate Electrodes with Uniaxially-Strained Silicon Channels on {100} and {110} Substrates

著者 (29件)： 若林整 (ソニー) ,  舘下八州志 (ソニー) ,  WANG J. (ソニー) ,  長野香 (ソニー) ,  平野智之 (ソニー) ,  宮波勇樹 (ソニー) ,  生田哲也 (ソニー) ,  片岡豊隆 (ソニー) ,  菊池善明 (ソニー) ,  山口晋平 (ソニー) ,  安藤崇志 (ソニー) ,  田井香織 (ソニー) ,  松本良輔 (ソニー) ,  藤田繁 (ソニー) ,  山根千種 (ソニー) ,  山本亮 (ソニー) ,  神田さおり (ソニー) ,  釘宮克尚 (ソニー) ,  木村忠之 (ソニー) ,  大地朋和 (ソニー) ,  山本雄一 (ソニー) ,  長濱嘉彦 (ソニー) ,  萩本賢哉 (ソニー) ,  田川幸雄 (ソニー) ,  塚本雅則 (ソニー) ,  岩元勇人 (ソニー) ,  齋藤正樹 (ソニー) ,  門村新吾 (ソニー) ,  長島直樹 (ソニー)
資料名： 半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集  (Proceedings of the Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology)
巻： 71st  ページ： 11-14  発行年： 2007年07月12日 
JST資料番号： F0108B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 論理向けCMOSデバイスとして,低しきい電圧のためのメタル...

シソーラス用語： ケイ化物 ,...
準シソーラス用語： *SiGe ,...

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分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (12件)：

• HIRANO, T. IEDM, 2005. 2005, 911-914
• YAMAGUCHI, S. Symp. VLSI Tech., 2006. 2006, 192
• ANDO, T. VLSI Tech., 2006. 2006, 208-209
• TAI, K. ESSDERC, 2006. 2006, 121
• GHANI, T. IEDM, 2003. 2003, 978-980

タイトルに関連する用語 (6件)： 埋め込み ,  SiGe ,  歪み ,  Si ,  チャンネル ,  ゲート電極