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J-GLOBAL ID：200902204812357340   整理番号：09A0910667

大都市圏(40km)100Gbit/s Ethernetシステム用にDFBレーザで集積した25Gbit/s 1.3μm InGaAlAsベース電界吸収変調器

25Gbit/s 1.3μm InGaAlAs-based electroabsorption modulator integrated with DFB laser for metro-area (40km) 100Gbit/s Ethernet system

著者 (10件)： FUJISAWA T. (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  ARAI M. (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  FUJIWARA N. (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  KOBAYASHI W. (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  TADOKORO T. (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  TSUZUKI K. (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  AKAGE Y. (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  IGA R. (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  YAMANAKA T. (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  KANO F. (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 45  号： 17  ページ： 900-902  発行年： 2009年08月13日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： これまで,InGaAlAsベース分布帰還型レーザで集積した電界吸収変調器(EADFB)に基づく25Gbit/s,10km伝送,43Gbit/s,10km伝送を示した。これらの結果により,大都市圏100Gbit/s Ethernet(100GbE)に対する1.3μm EADFBの有用性を示した。しかしビットエラー率評価及び単一モードファイバ(SMF)の40km伝送が報告されていない。本稿では,1.3μm InGaAlAsベースEADFBモジュールを開発し,SMFにおいて40°Cで25Gbit/s,40km誤フリー伝送を示した。2.6dBmの平均出力,及び8.2dB以上の動的消光比を取得した。これらの結果により,InGaAlAsベースEADFBが大都市圏100GbE用の有望な光源であることを示した。

シソーラス用語： *光変調素子 ,  光吸収 ,  アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  *分布帰還形レーザ ,  *Ethernet ,  誤り率 ,  単一モードファイバ ,  *伝送特性 ,  出力 ,  消光比 ,  光源 ,  ヒ化アルミニウムガリウムインジウム
準シソーラス用語： InGaAlAs ,  ビットエラー率 ,  誤りフリー ,  *電界吸収変調器

分類 (1件)： 光変調器  (BD06020W)

タイトルに関連する用語 (6件)： 大都市圏 ,  Ethernet ,  DFBレーザ ,  集積 ,  InGaAlAs ,  電界吸収変調器