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J-GLOBAL ID：200902208920869515   整理番号：05A0225711

Si(100),(110),(111)面上のn及びp型反転層における一軸応力下の移動度の面内異方性とユニバーサリティー

In-Plane Mobility Anisotropy and Universality Under Uni-Axial Strains in n- and p-MOS Inversion Layers on (100), (110), and (111)

著者 (4件)： 入江宏 (東大 大学院工学系研究科) ,  喜多浩之 (東大 大学院工学系研究科) ,  弓野健太郎 (東大 大学院工学系研究科) ,  鳥海明 (東大 大学院工学系研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 104  号： 577(SDM2004 209-221)  ページ： 13-16  発行年： 2005年01月14日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： “基板面方位”“面内電流方向”“一軸応力の印加方向”の3点に...

シソーラス用語： *MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (6件)：

• YANG, M. IEDM, 2003. 2003, 453
• THOMPSON, S. E. IEEE EDL. 2004, 25, 191
• RIM, K. VLSI Symp., 2002. 2002, 98
• GALLON, C. Solid-State Elec. 2004, 48, 568
• SAKAKI, H. 3^<rd> conf. on Solid State Devices, 1971. 1971

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  反転層 ,  一軸応力 ,  移動度 ,  面内異方性