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J-GLOBAL ID：200902210525610990   整理番号：06A0581950

CMP技術の克服するべき課題と今後の展開 Low-k材料のCMP後洗浄技術

Post CMP cleaning technology for low-k materials

著者 (3件)： 宮本誠 (三菱電機 先端技総研) ,  平野真也 (ルネサス テクノロジ) ,  千葉原宏幸 (ルネサス テクノロジ)
資料名： 砥粒加工学会誌  (Abrasive Technology)
巻： 50  号： 8  ページ： 452-455  発行年： 2006年08月01日 
JST資料番号： L0473A  ISSN： 0914-2703  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 超LSIの低誘電率層間絶縁膜として使用されているメチル基導入...

シソーラス用語： *半導体プロセス ,...
準シソーラス用語： *CMP【研磨】 ,...

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分類 (2件)： 特殊加工  (QC04000Y) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (12件)：

• PETERS, L. Semiconductor International. 2000, 108
• GRILL, A. Thin Solid Films. 2001, 398-399, 527
• BAJAJ, R. MRS Bulletin. 2002, October, 776
• NARA, A. Jpn. J. Appl. Phys. 1993, 32, 802
• MIYAMOTO, M. Ext. abstra. 50^<th> Spring meeting of Jpn. Soc. Appl. Phys., 2003. 2003

タイトルに関連する用語 (4件)： CMP ,  展開 ,  low-k材料 ,  洗浄