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J-GLOBAL ID:200902211164595148   整理番号:08A0401514

Particle-in-Binder法で作製した多結晶HgI2膜の性質

Properties of Polycrystalline HgI2 Films Fabricated by Using a Particle-in-Binder Method
著者 (7件):
資料名:
巻: 52  号:ページ: 1123-1127  発行年: 2008年04月15日 
JST資料番号: T0357A  ISSN: 0374-4884  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 韓国 (KOR)  言語: 英語 (EN)
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光伝導材料の堆積法としてParticle-in-Binder(PIB)法が報告されている。しかし,通常のPIB法で作製した光導体膜のX線感度は物理蒸着法の場合よりも低い。本研究ではマスクを密封し光導体材料を乾燥させる新しいPIB法を開発した。この方法で光導体中の多結晶HgI2密度を改善し,X線変換効率を向上させた。作製した膜の形態と電気的性質を調べた。本方法はX線検出器用の大面積,高密度の薄膜を堆積させることができる。
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分類 (1件):
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放射線検出・検出器 
タイトルに関連する用語 (4件):
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