文献

J-GLOBAL ID：200902212602464660   整理番号：04A0413509

金属ゲート電極を利用したガラス上の自己整合ダブルゲートCLC poly-Si TFT

Self-Aligned Metal Double Gate CLC Poly-Si TFT on Non-Alkali Glass Substrate

著者 (5件)： 原明人 (富士通研) ,  竹井美智子 (富士通研) ,  吉野健一 (富士通研) ,  竹内文代 (富士通研) ,  佐々木伸夫 (富士通研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 104  号： 5(SDM2004 7-14)  ページ： 1-6  発行年： 2004年04月16日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ガラス基板上に550°Cのプロセス温度で金属ゲート電極を有する...

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0413509&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0532B") }}

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート電極 ,  ガラス ,  自己整合 ,  ダブルゲート ,  Si ,  TFT