文献

J-GLOBAL ID：200902223480494874   整理番号：08A0654853

高破壊特性用4インチシリコン基板上のAlN/AlGaN/GaN金属・絶縁体・半導体高電子移動度トランジスタ

AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistor on 4 in. silicon substrate for high breakdown characteristics

著者 (4件)： SELVARAJ S.Lawrence (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  ITO Tsuneo (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  TERADA Yutaka (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  EGAWA Takashi (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名： 極微デバイス機能システム研究センター報告書  (Technical Report at Research Center for Nano-Device and System)
巻： 5  ページ： 65-67  発行年： 2008年03月 
JST資料番号： L5782A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4インチシリコン基板上に成長させたAlN/AlGaN/GaN金属・絶縁体・半導体高電子移動度トランジスタ(MIS-HEMT)について優れた特性を実証した。このヘテロ構造は,表面の粗さが少なく,高いシートキャリア密度を示した。最大ドレイン電流密度が361mA/mm,最大外因性相互コンダクタンスが152mS/であった。また,ゲート漏れ電流は2桁小さくなり,ドレイン電流コラプスは減少し,230Vの高い破壊電圧が観測された。

シソーラス用語： 破壊 ,  *トランジスタ ,  FET【トランジスタ】 ,  相互コンダクタンス ,  窒化物 ,  窒化アルミニウム ,  窒化ガリウム ,  崩壊 ,  半導体材料 ,  キャリア移動度 ,  ウエハ【IC】
準シソーラス用語： AlGaN ,  AlN ,  GaN ,  *シリコン基板 ,  ドレイン電流 ,  *電子移動度 ,  電流コラプス ,  ヘテロ構造

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 破壊特性 ,  シリコン基板 ,  AlN ,  AlGaN ,  GaN ,  絶縁体 ,  高電子移動度トランジスタ