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J-GLOBAL ID：200902223549218246   整理番号：08A1148607

多機能NVMおよびキャパシタレス1T-DRAMを目指したSiC上に作られたバンドオフセットFinFETベースのURAM(統合RAM)

Band Offset FinFET-Based URAM (Unified-RAM) Built on SiC for Multi-Functioning NVM and Capacitorless 1T-DRAM

著者 (16件)： HAN Jin-Woo (KAIST, Daejeon, KOR) ,  RYU Seong-Wan (KAIST, Daejeon, KOR) ,  KIM Sungho (KAIST, Daejeon, KOR) ,  KIM Chung-Jin (KAIST, Daejeon, KOR) ,  AHN Jae-Hyuk (KAIST, Daejeon, KOR) ,  CHOI Sung-Jin (KAIST, Daejeon, KOR) ,  CHOI Kyu Jin (Jusung Engineering, Gwangju, KOR) ,  CHO Byung Jin (KAIST, Daejeon, KOR) ,  KIM Jin Soo (National Nanofab Center, Daejeon, KOR) ,  KIM Kwang Hee (National Nanofab Center, Daejeon, KOR) ,  LEE Gi Sung (National Nanofab Center, Daejeon, KOR) ,  OH Jae Sub (National Nanofab Center, Daejeon, KOR) ,  SONG Myong Ho (National Nanofab Center, Daejeon, KOR) ,  PARK Yun Chang (National Nanofab Center, Daejeon, KOR) ,  KIM Jeoung Woo (National Nanofab Center, Daejeon, KOR) ,  CHOI Yang-Kyu (KAIST, Daejeon, KOR)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2008  ページ： 157-158  発行年： 2008年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,著者らはSOI基板上に製作したFinFET SONOS URAM(統合RAM)を提案した。しかし,SOI基板は放熱しがちであり,1T-RAMのセンシング窓を劣化する。本稿では,熱の効果的な管理と製作コストの低減を目的として,Si/SiC上に作ったFinFETベースのバンドオフセットURAMアーキテクチャを提案した。URAMは単一トランジスタにより不揮発性メモリ(NVM)とキャパシタレス1T-DRAM機能を実現するために,電荷トラップのための酸化物/窒化物/酸化物ゲート誘電体とフローティングボディ効果を利用し,バルクFinFETにより組み合わせた。単一URAMセルにより,NVMおよび1T-DRAM動作を確認した。

シソーラス用語： 不揮発性メモリ ,  DRAM ,  炭化ケイ素 ,  *バンドオフセット ,  FET【トランジスタ】 ,  RAM【メモリ】 ,  原価低減 ,  トランジスタ ,  捕獲 ,  絶縁膜 ,  窒化物 ,  酸化物 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *FinFET ,  NVM ,  SiC ,  ゲート誘電体 ,  フローティングボディ効果 ,  多機能 ,  電荷トラップ ,  *統合RAM

分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 多機能 ,  DRAM ,  SiC ,  バンドオフセット ,  FinFET ,  統合 ,  RAM