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J-GLOBAL ID：200902223557485318   整理番号：05A0644179

層剥離に応用するための引張歪みSi0.4Ge0.6/Geにおける水素ゲッタリングと歪誘起小板核生成

Hydrogen gettering and strain-induced platelet nucleation in tensilely strained Si0.4Ge0.6/Ge for layer exfoliation applications
著者 (2件)：
PITERA Arthur J.

PITERA Arthur J. について

(Massachusetts Inst. of Technol. (MIT), Massachusetts)

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, 
FITZGERALD E. A.

FITZGERALD E. A. について

(Massachusetts Inst. of Technol. (MIT), Massachusetts)

Massachusetts Inst. of Technol. (MIT), Massachusetts について


資料名：
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

Journal of Applied Physics について


巻： 97  号： 10,Pt.1  ページ： 104511.1-104511.11  発行年： 2005年05月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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引張歪みエピタキシャル層が格子間位置に溶け込んだ水素をゲッタ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ゲルマニウム

ゲルマニウム について

,...
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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エピタキシャル成長

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分類 (2件)：
分類
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半導体の格子欠陥 
(BK12040Q)

半導体の格子欠陥 について

,  固体デバイス材料 
(NC03020K)

固体デバイス材料 について

タイトルに関連する用語 (9件)：
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層剥離

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応用

応用 について

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引張歪み

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Ge

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水素

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ゲッタリング

ゲッタリング について

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歪

歪 について

, 
誘起

誘起 について

, 
核生成

核生成 について


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