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J-GLOBAL ID：200902229258472372   整理番号：08A0761652

気体浸漬レーザドーピングによって合成した仮像SiGe/Si(001)層

Pseudomorphic SiGe/Si(001) layers synthesized by gas immersion laser doping

著者 (8件)： FOSSARD Frederic (Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS, UMR 8622, Orsay F-91405, FRA) ,  BOULMER Jacques (Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS, UMR 8622, Orsay F-91405, FRA) ,  DEBARRE Dominique (Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS, UMR 8622, Orsay F-91405, FRA) ,  PERROSSIER Jean-luc (Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS, UMR 8622, Orsay F-91405, FRA) ,  BACHELET Cyril (Centre de Spectroscopie Nucleaire et de Spectroscopie de Masse, IN2P3-CNRS, Orsay F-91405, FRA) ,  FORTUNA Franck (Centre de Spectroscopie Nucleaire et de Spectroscopie de Masse, IN2P3-CNRS, Orsay F-91405, FRA) ,  MATHET Veronique (Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS, UMR 8622, Orsay F-91405, FRA) ,  BOUCHIER Daniel (Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS, UMR 8622, Orsay F-91405, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 93  号： 2  ページ： 021911  発行年： 2008年07月14日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン上での,気体浸漬レーザドーピングによるSiGe層合成を報告した。GeCl₄分子を表面上に吸着させ,さらにパルスレーザ誘起融解/再成長プロセスによってSi上層へ組み込んだ。相補的なRutherford後方散乱分光法とX線回折を用いることによって,SiGe層の構造的および化学的キャラクタリゼーションをおこない,Siマトリックス中へのGe組み込みによって,表面近くで18.5%までに達する漸進的なGe組み込み濃度を有する,完全にひずんだSiGe層が結果として生じることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *ケイ素化合物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  *ケイ素 ,  多層 ,  基板 ,  ドーピング ,  パルスレーザ照射 ,  レーザ融解 ,  化学合成 ,  結晶成長 ,  X線回折 ,  結晶構造 ,  Rutherford後方散乱 ,  キャラクタリゼーション ,  格子歪 ,  マトリックス【母体】 ,  仮像
準シソーラス用語： 再成長

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 気体 ,  浸漬 ,  レーザドーピング ,  仮像 ,  SiGe ,  Si ,  層