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Hole-doping and magnetic-field effects on the pseudogap in Bi1.74Pb0.38Sr1.88CuO6+.DELTA. studied by the out-of-plane resistivity
面外抵抗率により研究したＢｉ１．７４Ｐｂ０．３８Ｓｒ１．８８ＣｕＯ６＋δの擬ギャップに対する正孔ドーピングおよび磁場効果
ＫＵＤＯ　Ｋ． (Ｔｏｈｏｋｕ　Ｕｎｉｖ．，　Ｓｅｎｄａｉ，　ＪＰＮ)、ＭＩＹＯＳＨＩ　Ｙ． (Ｔｏｈｏｋｕ　Ｕｎｉｖ．，　Ｓｅｎｄａｉ，　ＪＰＮ)、ＳＡＳＡＫＩ　Ｔ． (Ｔｏｈｏｋｕ　Ｕｎｉｖ．，　Ｓｅｎｄａｉ，　ＪＰＮ)、ＫＯＢＡＹＡＳＨＩ　Ｎ． (Ｔｏｈｏｋｕ　Ｕｎｉｖ．，　Ｓｅｎｄａｉ，　ＪＰＮ)
 
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更新日
2010年06月16日
J-GLOBAL ID
200902235875464646
整理番号
06A0127150
タイトル(和文)
面外抵抗率により研究したＢｉ１．７４Ｐｂ０．３８Ｓｒ１．８８ＣｕＯ６＋δの擬ギャップに対する正孔ドーピングおよび磁場効果
タイトル(英文)
Hole-doping and magnetic-field effects on the pseudogap in Bi1.74Pb0.38Sr1.88CuO6+.DELTA. studied by the out-of-plane resistivity
タイトル(原文)
著者（所属機関） (4件)
ＫＵＤＯ　Ｋ．
所属:Ｔｏｈｏｋｕ　Ｕｎｉｖ．，　Ｓｅｎｄａｉ，　ＪＰＮ機関を検索
ＭＩＹＯＳＨＩ　Ｙ．
所属:Ｔｏｈｏｋｕ　Ｕｎｉｖ．，　Ｓｅｎｄａｉ，　ＪＰＮ機関を検索
ＳＡＳＡＫＩ　Ｔ．
所属:Ｔｏｈｏｋｕ　Ｕｎｉｖ．，　Ｓｅｎｄａｉ，　ＪＰＮ機関を検索
ＫＯＢＡＹＡＳＨＩ　Ｎ．
所属:Ｔｏｈｏｋｕ　Ｕｎｉｖ．，　Ｓｅｎｄａｉ，　ＪＰＮ機関を検索
発表資料 (1件)
Ｐｈｙｓｉｃａ　Ｃ 資料を検索
JST資料番号 (1件)
T0580A 文献を検索
発行年
20051001
巻、号、頁、特殊号
巻:４２６−４３１ 号:Ｐａｒｔ　１ 頁:251-256
ISSN
0921-4534
ISBN
CODEN
資料種別:資料内容種別名
Article
資料種別:資料形態コード
Meta and Print
発行国
Netherlands
言語
English
分類コード (0件)
キーワード (8件)
面
（face、plane、surface、面）
面（めん） (出典：Wikipedia)
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抵抗率
（electric resistivity、electrical resistivity、resistivity、specific resistance、固有抵抗、固有抵抗値、抵抗率、比抵抗、比電気抵抗、比電気抵抗値、電気固有抵抗、電気固有抵抗値、電気抵抗率、電気比抵抗、電気比抵抗値）
T I (出典：Wikipedia)
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Ｂｉ
（Bi、Bismuth、bismuth、そう鉛、ビスマス、蒼鉛、Ｂｉ）
|left=鉛 (出典：Wikipedia)
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Ｐｂ
（Lead、Pb、鉛、Ｐｂ）
|left=タリウム (出典：Wikipedia)
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ＳＲ
（SR、sinus rhythm、洞リズム、洞律動、洞性調律、洞調律、ＳＲ）
SR (出典：Wikipedia)
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J-GLOBALの研究者情報に登録されている著者 (2件)
佐々木　孝彦
所属機関: 東北大学　金属材料研究所　低温物理学研究部門
研究分野: 有機伝導体,強相関電子系,強磁場低温
【詳細情報】 研究者HP外部リンク  | 研究者HP外部リンク  | ReaD&Researchmap検索外部リンク 
【この人名をキーに探す】 GeNii検索外部リンク  | PORTA検索外部リンク 
小林　典男
所属機関: 東北大学　金属材料研究所　低温物理学研究部門
研究分野: 高温超伝導体, 遷移金属酸化物, 超伝導, 有機化合物伝導体, 強磁場物性. 低温物理学, ナノスケール電子構造
【詳細情報】 研究者HP外部リンク  | 研究者HP外部リンク  | ReaD&Researchmap検索外部リンク 
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特許からの被引用 (0件)

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