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J-GLOBAL ID：200902239875424658   整理番号：05A0427520

モンテカルロデバイスシミュレーションによるHigh Voltage(HV)系MOSFETの基板電流計算

著者 (4件)： 千石光洋 (東芝インフォメーションシステムズ) ,  桧山薫 (東芝) ,  木下浩三 (東芝インフォメーションシステムズ) ,  吉村尚郎 (東芝)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 52nd  号： 2  ページ： 998  発行年： 2005年03月29日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *モンテカルロ法 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： モンテカルロ ,  デバイスシミュレーション ,  系 ,  MOSFET ,  計算