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J-GLOBAL ID：200902243428898321   整理番号：06A0389048

Si基板上に形成した多結晶Bi_4-xLa_xTi₃O₁₂薄膜の容量-電圧(C-V)ヒステリシス特性と界面状態の評価

Capacitance-Voltage Hysteresis of Polycrystalline Bi_4-xLa_xTi₃O₁₂ Thin Films formed on Si Substrates and Analysis of Interface States

著者 (3件)： 香野淳 (福岡大 理) ,  西川武蔵 (福岡大 理) ,  泊博幸 (福岡大 理)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 106  号： 6(SDM2006 1-19)  ページ： 51-56  発行年： 2006年04月10日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Au/Bi_4-xLa<sub>x</s...

シソーラス用語： 基板 ,...
準シソーラス用語： 禁止帯 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si基板 ,  多結晶 ,  薄膜 ,  ヒステリシス特性 ,  界面状態 ,  評価