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J-GLOBAL ID：200902249330118342   整理番号：04A0343176

Si(111)基板上へのSi:Ce薄膜の結晶成長とその磁気及び磁気輸送特性

著者 (4件)： 寺尾岳見 (大阪府大 工) ,  吉水康人 (大阪府大 工) ,  浜崎智 (大阪府大 工) ,  藤村紀文 (大阪府大 工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 51st  号： 1  ページ： 503  発行年： 2004年03月28日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 希薄磁性半導体 ,...

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分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  Ce ,  薄膜 ,  結晶成長 ,  磁気 ,  輸送特性