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J-GLOBAL ID：200902254707039241   整理番号：09A0948394

半絶縁性AlInNキャップ層とスパッタ蒸着ITO(酸化インジウムスズ)透明電極を用いたGaN MSM(金属-半導体-金属)光検出器

GaN MSM Photodetectors with a Semi-Insulating AlInN Cap Layer and Sputtered ITO Transparent Electrodes

著者 (9件)： WENG W. Y. (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHUANG R. W. (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHUANG R. W. (National Nano Device Lab., Tainan, TWN) ,  CHANG S. J. (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  LAI W. C. (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  HSUEH T. J. (National Nano Device Lab., Tainan, TWN) ,  SHEI S. C. (National Univ. Tainan, Tainan, TWN) ,  ZENG X. F. (National Univ. Tainan, Tainan, TWN) ,  WU S. L. (Cheng Shiu Univ., Kaohsiung, TWN)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 12  号： 10  ページ： H369-H372  発行年： 2009年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN系MSM(金属-半導体-金属)型紫外検出器の性能を高める方法を提案した。この方法では,電極に酸化インジウムスズ(ITO)を用い,ITO電極とGaN膜の間に半絶縁性のAlInN層(40nm)を挿入する。半絶縁性AlInN層の導入により暗電流は1.49×10^-8A/cm²にまで減少した。Ni/Au電極を用いたLEDに比べ,ITO電極を採用したLEDでは紫外/可視光応答度比が約8倍増大して23,306になり,雑音等価パワーは1/16に減少して1.79×10^-13Wに,規格化検出感度は約6倍増大して3.42×10¹²cm Hz^0.5 W^-1になった。

シソーラス用語： *紫外検出器 ,  *MSM構造 ,  *窒化ガリウム ,  酸化インジウムスズ ,  アルミニウム化合物 ,  電気的性質 ,  保護膜 ,  分光感度 ,  雑音特性 ,  暗電流
準シソーラス用語： 窒化インジウムアルミニウム ,  半絶縁性 ,  キャップ層 ,  検出感度

分類 (2件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (9件)： 半絶縁性 ,  キャップ層 ,  スパッタ蒸着 ,  ITO ,  酸化インジウムスズ ,  透明電極 ,  GaN ,  MSM ,  光検出器