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J-GLOBAL ID:200902259274861261   整理番号:07A0884056

Ge/Si(001)島状多層構造のDCXRD

DCXRD Investigation of a Ge/Si(001) Island Multilayer Structure
著者 (4件):
資料名:
巻: 28  号:ページ: 145-148  発行年: 2007年 
JST資料番号: C2377A  ISSN: 0253-4177  CODEN: PTTPDZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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Ge/Si(001)島状多層構造を二重結晶X線回折,透過型電子顕微鏡,原子間力顕微鏡により調べた。ロッキングカーブの衛星ピークを湿潤層領域と島状構造領域に由来したLorentz型線形に当てはめた。次に,TEMから求めたSi層とGe(GeSi)層の厚みの比から,湿潤層と島状構造のGe組成を推定し,当てはめたピーク位置からそれぞれ0.51と0.67と推定した。本方法はGe/Si(001)島状多層構造を調べる比較的簡単な方法である。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST
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分類 (1件):
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半導体薄膜 
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