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J-GLOBAL ID：200902263636238220   整理番号：06A0036738

RF/アナログ応用に適した,低リーク・高耐圧の歪Si-MOSFET技術

Strained-Silicon MOSFETs of Low Leakage Current and High Breakdown Voltage for RF/Analog Applications

著者 (10件)： 杉井信之 (日立) ,  宮本正文 (日立) ,  羽鳥誠 (ルネサステクノロジ) ,  木村嘉伸 (日立) ,  近藤泰一 (ルネサステクノロジ) ,  近藤将夫 (ルネサステクノロジ) ,  星野裕 (ルネサステクノロジ) ,  平沢亘 (ルネサス東日本セミコンダクタ) ,  木村紳一郎 (ルネサス東日本セミコンダクタ) ,  吉田功 (ルネサス東日本セミコンダクタ)
資料名： 半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集  (Proceedings of the Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology)
巻： 69th  ページ： 71-74  発行年： 2005年12月10日 
JST資料番号： F0108B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： RF/アナログ集積回路は,ディジタル回路に比べて供給電圧の下...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： 歪Si ,...

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分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： RF ,  アナログ ,  応用 ,  リーク ,  高耐圧 ,  歪 ,  Si ,  MOSFET