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J-GLOBAL ID：200902269627542560   整理番号：04A0912662

C₄F₈誘導結合プラズマの特性 I SiO₂のエッチングに対するAr/c-C₄F₈磁場閉込めプラズマ

Properties of C₄F₈ inductively coupled plasmas. I. Studies of Ar/c-C₄F₈ magnetically confined plasmas for etching of SiO₂

著者 (7件)： LI X (Univ. Maryland, Maryland) ,  LING L (Univ. Maryland, Maryland) ,  HUA X (Univ. Maryland, Maryland) ,  OEHRLEIN G S (Univ. Maryland, Maryland) ,  WANG Y (National Inst. Standards and Technol., Maryland) ,  VASENKOV A V (Univ. Illinois, Illinois) ,  KUSHNER M J (Univ. Illinois, Illinois)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 22  号： 3  ページ： 500-510  発行年： 2004年05月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 圧力範囲6~20mTorrのAr/c-C<sub>4</su...

シソーラス用語： *脂肪族フッ素化合物 ,...
準シソーラス用語： 圧力依存性 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

物質索引 (1件)： オクタフルオロシクロブタン

タイトルに関連する用語 (6件)： 誘導結合プラズマ ,  SiO2 ,  エッチング ,  Ar ,  磁場閉込め ,  プラズマ