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J-GLOBAL ID：200902274557654288   整理番号：09A0420792

CTLM法によるAl,Ti,NiのInNへのコンタクト抵抗評価

著者 (5件)： 菊池将悟 (立命館大 理工) ,  前田就彦 (立命館大 立命館グローバルイノベーション研究機構) ,  前田就彦 (NTT フォトニクス研) ,  山口智広 (立命館大 総研) ,  名西やす之 (立命館大 理工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 56th  号： 1  ページ： 394  発行年： 2009年03月30日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *通信系モデル ,  *窒化インジウム ,  化合物半導体 ,  *アルミニウム ,  *チタン ,  *ニッケル ,  *接触抵抗 ,  サファイア ,  基板 ,  窒化ガリウム ,  電極 ,  金 ,  *半導体金属接合 ,  鉱石 ,  宝石
準シソーラス用語： *CTLM ,  環状伝送線路モデル

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (6件)： Al ,  Ti ,  Ni ,  InN ,  コンタクト抵抗 ,  評価