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J-GLOBAL ID：200902281144451024   整理番号：06A0887476

32nmノードMOSFETのための非対称Raised Source/Drain Extension構造の提案

A Novel Asymmetric Raised Source/Drain Extension Structure for 32nm-node MOSFETs: An Ultimate Planar MOSFET

著者 (3件)： 井本努 (ソニー 半導体事業グループテクノロジー開発本部) ,  舘下八州志 (ソニー 半導体事業グループテクノロジー開発本部) ,  小林敏夫 (ソニー 半導体事業グループテクノロジー開発本部)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 106  号： 255(VLD2006 39-50)  ページ： 37-42  発行年： 2006年09月19日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 新しい非対称raised source/drain exte...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： コーナー効果 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 32nmノード ,  MOSFET ,  非対称 ,  提案